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FDBL0260N100

FDBL0260N100 onsemi


fdbl0260n100-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 16000 Stücke:

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Technische Details FDBL0260N100 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0021 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: MO-299A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDBL0260N100 FDBL0260N100 Hersteller : onsemi fdbl0260n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
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FDBL0260N100 FDBL0260N100 Hersteller : onsemi / Fairchild fdbl0260n100-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
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FDBL0260N100 FDBL0260N100 Hersteller : ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0021 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1638 Stücke:
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FDBL0260N100 FDBL0260N100 Hersteller : ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0021 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
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Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDBL0260N100 FDBL0260N100 Hersteller : ON Semiconductor fdbl0260n100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
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FDBL0260N100 Hersteller : ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf FDBL0260N100 SMD N channel transistors
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