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FDBL86066-F085

FDBL86066-F085 onsemi

fdbl86066-f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
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Technische Details FDBL86066-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.

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FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : onsemi FDBL86066_F085_D-2312243.pdf MOSFET PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
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FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
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FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ONSEMI 2619984.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
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FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ONSEMI 2619984.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
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