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FDC2612

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Produktcode: 167562
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 11544000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.39 EUR
15000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
100+0.72 EUR
149+0.48 EUR
250+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
auf Bestellung 11546700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
17+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf MOSFETs 200V NCh PowerTrench
auf Bestellung 9228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.43 EUR
24000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDC2612 FDC2612 ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC2612 FDC2612 ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 11544000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
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15000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
100+0.72 EUR
149+0.48 EUR
250+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
auf Bestellung 11546700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.72 EUR
17+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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FDC2612
Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V NCh PowerTrench
auf Bestellung 9228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.85 EUR
10+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.43 EUR
24000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH