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Technische Details FDC2612 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDC2612 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDC2612 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC2612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC2612 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V |
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FDC2612 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC2612 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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FDC2612 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 200V NCh PowerTrench |
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FDC2612 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V |
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FDC2612 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDC2612 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDC2612 Produktcode: 167562
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDC2612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC2612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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