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Technische Details FDC3512 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDC3512 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.15 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FDC3512 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Ch PowerTrench |
auf Bestellung 2411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V |
auf Bestellung 37371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3512 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC3512 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC3512 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDC3512 | Hersteller : ONSEMI |
FDC3512 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |