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FDC3601N

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Produktcode: 106119
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1460+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1460 Stücke
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FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC3601N FDC3601N onsemi / Fairchild FDC3601N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
149+1.14 EUR
228+0.71 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
200+1.17 EUR
307+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
200+1.17 EUR
307+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
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FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1460+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1460 Stücke
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FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.46 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC3601N FDC3601N-D.PDF
FDC3601N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.68 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.89 EUR
149+1.14 EUR
228+0.71 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2 EUR
200+1.17 EUR
307+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2 EUR
200+1.17 EUR
307+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH