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FDC3601N

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Produktcode: 106119
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 976mΩ
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
111+0.65 EUR
137+0.52 EUR
188+0.38 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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FDC3601N FDC3601N onsemi / Fairchild FDC3601N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.41 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 976mΩ
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
111+0.65 EUR
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188+0.38 EUR
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FDC3601N FDC3601N-D.PDF
FDC3601N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
auf Bestellung 4756 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.41 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
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FDC3601N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 53490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH