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Technische Details FDC3601N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDC3601N nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC3601N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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FDC3601N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 6695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC3601N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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FDC3601N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 58383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3601N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 58383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC3601N Produktcode: 106119
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC3601N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC3601N | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 976mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC3601N | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 976mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 |
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