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FDC3612

FDC3612 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
24000+0.31 EUR
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Technische Details FDC3612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
24000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
24000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
24000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
9000+0.45 EUR
18000+0.4 EUR
27000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI FDC3612.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
115+0.74 EUR
137+0.62 EUR
193+0.44 EUR
211+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 onsemi / Fairchild FDC3612-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 29629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.8 EUR
100+0.6 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
auf Bestellung 14561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
23+0.94 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 onsemi fdc3612-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 26025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
192+1.21 EUR
393+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FDC3612 FDC3612 ONSEMI ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
192+1.21 EUR
393+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
24000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
24000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
24000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.5 EUR
9000+0.45 EUR
18000+0.4 EUR
27000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+1.02 EUR
115+0.74 EUR
137+0.62 EUR
193+0.44 EUR
211+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC3612
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 29629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.05 EUR
10+0.8 EUR
100+0.6 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC3612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
auf Bestellung 14561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.05 EUR
23+0.94 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 26025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.93 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
192+1.21 EUR
393+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
192+1.21 EUR
393+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH