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FDC5612

FDC5612 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
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Technische Details FDC5612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
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FDC5612 FDC5612 onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
21000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.76 EUR
258+0.65 EUR
341+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
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FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.81 EUR
308+0.56 EUR
314+0.54 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
215+0.79 EUR
217+0.75 EUR
308+0.5 EUR
314+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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FDC5612 FDC5612 ONSEMI FDC5612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
104+0.82 EUR
120+0.71 EUR
164+0.52 EUR
182+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDC5612 FDC5612 onsemi / Fairchild FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
auf Bestellung 17354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.92 EUR
100+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC5612 FDC5612 onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 45623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 22062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
170+1.37 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 22062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
170+1.37 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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FDC5612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC5612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
21000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
229+0.76 EUR
258+0.65 EUR
341+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
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FDC5612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
217+0.81 EUR
308+0.56 EUR
314+0.54 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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FDC5612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+0.95 EUR
215+0.79 EUR
217+0.75 EUR
308+0.5 EUR
314+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.27 EUR
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FDC5612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+1.07 EUR
104+0.82 EUR
120+0.71 EUR
164+0.52 EUR
182+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDC5612
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
auf Bestellung 17354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.92 EUR
100+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC5612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 45623 Stücke:
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13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDC5612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 22062 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
170+1.37 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 22062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
170+1.37 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH