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FDC5614P

FDC5614P ON Semiconductor

fdc5614p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC5614P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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289+0.5 EUR
362+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 289
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247+0.58 EUR
289+0.48 EUR
362+0.37 EUR
500+0.29 EUR
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6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 247
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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237+0.6 EUR
239+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
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237+0.56 EUR
239+0.53 EUR
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248+0.56 EUR
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6000+0.21 EUR
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4291 Stücke:
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Anzahl Preis
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97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
141+1.02 EUR
188+0.73 EUR
273+0.49 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 141
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : onsemi / Fairchild fdc5614p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH
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3+1.22 EUR
10+0.9 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 35594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.25 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22683 Stücke:
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
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FDC5614P FDC5614P Hersteller : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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