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FDC5614P

FDC5614P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379230 Stücke:
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489+0.36 EUR
539+0.32 EUR
584+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 489 Stücke
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Technische Details FDC5614P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Weitere Produktangebote FDC5614P nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
462+0.38 EUR
489+0.35 EUR
539+0.3 EUR
584+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 462 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 41800 Stücke:
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1412+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 1412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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321+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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198+0.89 EUR
283+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
88+0.98 EUR
101+0.84 EUR
141+0.61 EUR
163+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.36 EUR
178+0.95 EUR
268+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH
auf Bestellung 663 Stücke:
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2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 103313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 103313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
462+0.38 EUR
489+0.35 EUR
539+0.3 EUR
584+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 462 Stücke
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FDC5614P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 41800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1412+0.46 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
321+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
198+0.89 EUR
283+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P-DTE.pdf
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+1.24 EUR
88+0.98 EUR
101+0.84 EUR
141+0.61 EUR
163+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.36 EUR
178+0.95 EUR
268+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC5614P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC5614P
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 103313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 103313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH