Produkte > ONSEMI > FDC5661N
FDC5661N

FDC5661N onsemi

fdc5661n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
50+0.35 EUR
57+0.31 EUR
100+0.27 EUR
250+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDC5661N onsemi

Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FDC5661N nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDC5661N Hersteller : onsemi FDC5661N-D.PDF MOSFETs FET 60V 500 MOHM SSOT6
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.32 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N Hersteller : ON Semiconductor truese_nods.pdf FET Power SM Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N FDC5661N Hersteller : onsemi fdc5661n-d.pdf Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N Hersteller : ON Semiconductor FDC5661N_F085_D-2312057.pdf MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH