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FDC610PZ

FDC610PZ ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC610PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDC610PZ FDC610PZ ON Semiconductor fdc610pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ FDC610PZ onsemi fdc610pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 51000 Stücke:
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1718+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
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382+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 382 Stücke
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FDC610PZ FDC610PZ ON Semiconductor fdc610pzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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352+0.49 EUR
410+0.4 EUR
451+0.36 EUR
515+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
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FDC610PZ FDC610PZ ON Semiconductor fdc610pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.93 EUR
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FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI FDC610PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
142+0.6 EUR
199+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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FDC610PZ FDC610PZ onsemi fdc610pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8494 Stücke:
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15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
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FDC610PZ FDC610PZ onsemi fdc610pz-d.pdf MOSFETs -30V P-CHANNEL
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10+0.73 EUR
100+0.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI 2304131.pdf Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 6639 Stücke:
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126+1.99 EUR
203+1.14 EUR
314+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
5000+0.38 EUR
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FDC610PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC610PZ
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
382+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
352+0.49 EUR
410+0.4 EUR
451+0.36 EUR
515+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
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FDC610PZ
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+0.99 EUR
142+0.6 EUR
199+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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FDC610PZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FDC610PZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-CHANNEL
auf Bestellung 89924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.61 EUR
10+0.73 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC610PZ 2304131.pdf
FDC610PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 6639 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
126+1.99 EUR
203+1.14 EUR
314+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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