FDC610PZ

FDC610PZ ON Semiconductor


fdc610pz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC610PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : ON Semiconductor fdc610pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : onsemi fdc610pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : ON Semiconductor fdc610pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : ONSEMI FDC610PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
160+0.45 EUR
236+0.30 EUR
249+0.29 EUR
252+0.28 EUR
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : ONSEMI FDC610PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : ON Semiconductor fdc610pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : onsemi / Fairchild fdc610pz-d.pdf MOSFETs -30V P-CHANNEL
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : onsemi fdc610pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
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FDC610PZ FDC610PZ Hersteller : ONSEMI 2304131.pdf Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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