FDC6301N

FDC6301N ON Semiconductor


fdc6301n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6301N ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDC6301N FDC6301N Hersteller : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6301N FDC6301N Hersteller : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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FDC6301N FDC6301N Hersteller : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
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FDC6301N FDC6301N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.22A
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC6301N FDC6301N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.22A
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