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FDC6303N

FDC6303N ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6303N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote FDC6303N nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6303N FDC6303N onsemi FDC6303N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
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3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
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FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.55 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
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FDC6303N FDC6303N onsemi FDC6303N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
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3+1.4 EUR
10+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
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FDC6303N FDC6303N onsemi FDC6303N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 34991 Stücke:
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15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
50+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FDC6303N FDC6303N ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 114783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
327+0.71 EUR
372+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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FDC6303N FDC6303N ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 114783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
327+0.71 EUR
372+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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FDC6303N FDC6303N ONSEMI FDC6303N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
auf Bestellung 1620 Stücke:
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FDC6303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
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FDC6303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
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FDC6303N FDC6303N-D.PDF
FDC6303N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
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FDC6303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
328+0.55 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
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FDC6303N
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
auf Bestellung 14133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.4 EUR
10+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC6303N FDC6303N-D.PDF
FDC6303N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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25+0.87 EUR
50+0.64 EUR
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FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 114783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.68 EUR
327+0.71 EUR
372+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N 2304097.pdf
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 114783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.68 EUR
327+0.71 EUR
372+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N FDC6303N.pdf
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH