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FDC6305N

FDC6305N onsemi

fdc6305n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
21000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details FDC6305N onsemi

Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDC6305N FDC6305N Hersteller : ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
Gate-source voltage: ±8V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
112+0.64 EUR
163+0.44 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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FDC6305N FDC6305N Hersteller : onsemi / Fairchild FDC6305N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 24350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.27 EUR
10+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDC6305N FDC6305N Hersteller : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FDC6305N FDC6305N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC6305N FDC6305N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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