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FDC6305N

FDC6305N ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6305N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDC6305N FDC6305N onsemi FDC6305N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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365+0.45 EUR
399+0.4 EUR
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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147+1.13 EUR
148+1.08 EUR
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500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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148+1.17 EUR
149+1.14 EUR
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500+1.08 EUR
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FDC6305N FDC6305N ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 167 Stücke:
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72+1.19 EUR
92+0.93 EUR
106+0.81 EUR
148+0.57 EUR
167+0.51 EUR
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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140+1.24 EUR
237+0.7 EUR
283+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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FDC6305N FDC6305N onsemi / Fairchild FDC6305N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
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10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.36 EUR
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FDC6305N FDC6305N onsemi FDC6305N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
50+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC6305N FDC6305N ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
176+1.32 EUR
236+0.9 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDC6305N FDC6305N ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
176+1.32 EUR
236+0.9 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
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FDC6305N FDC6305N onsemi FDC6305N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
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2+2.2 EUR
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1000+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
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FDC6305N FDC6305N ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6305N
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1500+0.43 EUR
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FDC6305N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
365+0.48 EUR
399+0.43 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
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FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.6 EUR
365+0.45 EUR
399+0.4 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+0.69 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
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239+0.73 EUR
285+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
147+1.13 EUR
148+1.08 EUR
149+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FDC6305N
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
148+1.17 EUR
149+1.14 EUR
250+1.12 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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FDC6305N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 167 Stücke:
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92+0.93 EUR
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167+0.51 EUR
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FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+1.24 EUR
237+0.7 EUR
283+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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FDC6305N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
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3+1.51 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N FDC6305N-D.PDF
FDC6305N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
50+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC6305N ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6305N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17005 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
176+1.32 EUR
236+0.9 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDC6305N ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6305N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
176+1.32 EUR
236+0.9 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDC6305N FDC6305N-D.PDF
FDC6305N
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 44692 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.2 EUR
10+1.58 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N fdc6305n-d.pdf
FDC6305N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH