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FDC6318P

FDC6318P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6318P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6318P FDC6318P onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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209+0.84 EUR
244+0.7 EUR
288+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
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FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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200+0.88 EUR
201+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
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196+0.89 EUR
198+0.86 EUR
200+0.82 EUR
201+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
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FDC6318P FDC6318P ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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148+1.19 EUR
192+0.88 EUR
248+0.67 EUR
500+0.52 EUR
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3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
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FDC6318P FDC6318P ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.21 EUR
94+0.92 EUR
108+0.79 EUR
136+0.63 EUR
250+0.61 EUR
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FDC6318P FDC6318P onsemi / Fairchild FDC6318P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
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3+1.65 EUR
10+1.13 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC6318P FDC6318P onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 11098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDC6318P FDC6318P onsemi fdc6318p-d.pdf MOSFETs SuperSOT-3
auf Bestellung 53340 Stücke:
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2+2.23 EUR
10+1.3 EUR
100+0.89 EUR
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FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
166+1.4 EUR
250+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
166+1.4 EUR
250+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.48 EUR
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FDC6318P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDC6318P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1998 Stücke:
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1998+0.56 EUR
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FDC6318P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
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1091+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1091 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 99860 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
209+0.84 EUR
244+0.7 EUR
288+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.88 EUR
201+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
196+0.89 EUR
198+0.86 EUR
200+0.82 EUR
201+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6318P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.19 EUR
192+0.88 EUR
248+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
71+1.21 EUR
94+0.92 EUR
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136+0.63 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperSOT-3
auf Bestellung 22738 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.65 EUR
10+1.13 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 11098 Stücke:
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11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperSOT-3
auf Bestellung 53340 Stücke:
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10+1.3 EUR
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FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6180 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
102+2.48 EUR
166+1.4 EUR
250+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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FDC6318P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6180 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
102+2.48 EUR
166+1.4 EUR
250+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH