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FDC6318P

FDC6318P ON Semiconductor

fdc6318p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6318P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Anzahl Preis
181+0.8 EUR
238+0.59 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.34 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 181
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 113880 Stücke:
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170+0.85 EUR
181+0.77 EUR
238+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 170
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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161+0.9 EUR
163+0.86 EUR
164+0.82 EUR
250+0.78 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 161
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
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Anzahl Preis
160+0.91 EUR
161+0.87 EUR
163+0.83 EUR
164+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 160
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
79+0.91 EUR
91+0.79 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
250+0.54 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
auf Bestellung 2841 Stücke:
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59+1.22 EUR
79+0.91 EUR
91+0.79 EUR
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130+0.55 EUR
250+0.54 EUR
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : onsemi / Fairchild fdc6318p-d.pdf MOSFETs SuperSOT-3
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Anzahl Preis
2+1.44 EUR
10+1.07 EUR
25+1.03 EUR
100+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : onsemi fdc6318p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 11152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.06 EUR
14+1.29 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7700 Stücke:
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor 3660361439275242fdc6318p.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6318P FDC6318P Hersteller : ON Semiconductor fdc6318p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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