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FDC6327C

FDC6327C onsemi


fdc6327c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
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Technische Details FDC6327C onsemi

Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
226+0.63 EUR
270+0.5 EUR
344+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 226
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 25860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
866+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 866
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.76 EUR
226+0.6 EUR
270+0.48 EUR
344+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.98 EUR
188+0.75 EUR
242+0.56 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
81+0.89 EUR
108+0.66 EUR
124+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
81+0.89 EUR
108+0.66 EUR
124+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : onsemi / Fairchild FDC6327C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P CH
auf Bestellung 11601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 12735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.95 EUR
15+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8439 Stücke:
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8439 Stücke:
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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FDC6327C FDC6327C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42000 Stücke:
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FDC6327C FDC6327C
Produktcode: 28579
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Gehäuse: N+P
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