FDC638APZ ON Semiconductor
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| 1877+ | 0.29 EUR |
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Technische Details FDC638APZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDC638APZ nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 26362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 36741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC638APZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC638APZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC638APZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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