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FDC638APZ

FDC638APZ ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC638APZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
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FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC638APZ FDC638APZ onsemi / Fairchild FDC638APZ-D.PDF MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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10+0.99 EUR
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FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 18889 Stücke:
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13+1.7 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
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FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 25231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 25231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC638APZ
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC638APZ
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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15000+0.29 EUR
21000+0.26 EUR
30000+0.25 EUR
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.3 EUR
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6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.27 EUR
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FDC638APZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
427+0.4 EUR
471+0.37 EUR
527+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 427 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1574+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1574 Stücke
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FDC638APZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3755 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1574+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC638APZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
345+0.5 EUR
427+0.39 EUR
471+0.35 EUR
527+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
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FDC638APZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+0.69 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC638APZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.17 EUR
278+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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FDC638APZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC638APZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.61 EUR
10+0.99 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC638APZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 18889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.7 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDC638APZ ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638APZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 25231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.03 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638APZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 25231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.03 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH