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Technische Details FDC6401N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDC6401N nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC6401N | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6401N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6401N | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A On-state resistance: 106mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC6401N | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A On-state resistance: 106mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 |
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FDC6401N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench |
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FDC6401N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6401N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FDC6401N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6401N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FDC6401N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6401N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6401N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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FDC6401N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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