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FDC6420C

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Produktcode: 44090
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6420C FDC6420C onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.98 EUR
257+0.68 EUR
292+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
97+0.88 EUR
118+0.73 EUR
137+0.62 EUR
159+0.54 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.68 EUR
166+1.02 EUR
182+0.9 EUR
257+0.61 EUR
292+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C onsemi fdc6420c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 14050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C onsemi fdc6420c-d.pdf MOSFETs 20V/-20V N/P
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI fdc6420c-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI 2300062.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON-Semiconductor info-tfdc6420c.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C Fairchild/ON Semiconductor FDC6420C_Fairchild.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
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FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6420C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+0.98 EUR
257+0.68 EUR
292+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+1.31 EUR
97+0.88 EUR
118+0.73 EUR
137+0.62 EUR
159+0.54 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.68 EUR
166+1.02 EUR
182+0.9 EUR
257+0.61 EUR
292+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 14050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V/-20V N/P
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C 2300062.pdf
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C info-tfdc6420c.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C_Fairchild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH