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FDC6420C

FDC6420C-D.PDF
Produktcode: 44090
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.38 EUR
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.44 EUR
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FDC6420C FDC6420C onsemi FDC6420C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.81 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.98 EUR
257+0.68 EUR
292+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor fdc6420c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.7 EUR
166+1.04 EUR
182+0.92 EUR
257+0.62 EUR
292+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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FDC6420C FDC6420C onsemi FDC6420C-D.PDF MOSFETs 20V/-20V N/P
auf Bestellung 335682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C onsemi FDC6420C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 32285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C-D.PDF Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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FDC6420C FDC6420C ONSEMI 2300062.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C Fairchild/ON Semiconductor FDC6420C_Fairchild.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+0.81 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+0.98 EUR
257+0.68 EUR
292+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C fdc6420c-d.pdf
FDC6420C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.7 EUR
166+1.04 EUR
182+0.92 EUR
257+0.62 EUR
292+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V/-20V N/P
auf Bestellung 335682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.93 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 32285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C-D.PDF
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C 2300062.pdf
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C.pdf
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C_Fairchild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH