Weitere Produktangebote FDC6420C nach Preis ab 0.24 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70/125mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Technology: PowerTrench® |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
auf Bestellung 14050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6420C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6420C | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Гру Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
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| FDC6420C | Hersteller : ONS/FAI |
SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6420C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V/-20V N/P |
Produkt ist nicht verfügbar |