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FDC642P-F085PBK

FDC642P-F085PBK onsemi

FDC642P_F085-D.PDF
Hersteller: onsemi
MOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
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Technische Details FDC642P-F085PBK onsemi

Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: POWERTRENCH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDC642P-F085PBK FDC642P-F085PBK ONSEMI 4643389.pdf Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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FDC642P-F085PBK FDC642P-F085PBK ONSEMI 4643389.pdf Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
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FDC642P-F085PBK
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Hersteller: ONSEMI
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