Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDC655BN

FDC655BN

fdc655bn-d.pdf
Produktcode: 169802
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDC655BN nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
907+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 907 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
807+0.18 EUR
907+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.33 EUR
514+0.28 EUR
526+0.27 EUR
603+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.37 EUR
603+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+0.38 EUR
435+0.32 EUR
445+0.3 EUR
514+0.25 EUR
526+0.24 EUR
603+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.44 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
123+0.58 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN onsemi fdc655bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 9064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
25+0.73 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN onsemi fdc655bn-d.pdf MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 51325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 51325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
907+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 907 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
807+0.18 EUR
907+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
445+0.33 EUR
514+0.28 EUR
526+0.27 EUR
603+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
395+0.37 EUR
603+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
377+0.38 EUR
435+0.32 EUR
445+0.3 EUR
514+0.25 EUR
526+0.24 EUR
603+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
329+0.44 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN.pdf
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
123+0.58 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 9064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.18 EUR
25+0.73 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Hersteller: onsemi
MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.21 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN 2284254.pdf
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 51325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN 2284254.pdf
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 51325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH