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FDC655BN

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Produktcode: 169802
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC655BN FDC655BN onsemi FDC655BN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
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3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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461+0.38 EUR
512+0.33 EUR
521+0.32 EUR
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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377+0.46 EUR
435+0.38 EUR
461+0.35 EUR
512+0.31 EUR
521+0.29 EUR
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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322+0.55 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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170+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC655BN FDC655BN onsemi FDC655BN-D.PDF MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
auf Bestellung 15919 Stücke:
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3+1.51 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
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FDC655BN FDC655BN onsemi FDC655BN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 49197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
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500+0.45 EUR
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FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 42039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.74 EUR
239+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 42039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.74 EUR
239+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FDC655BN FDC655BN ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC655BN FDC655BN ON Semiconductor fdc655bnd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
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FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
907+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 907 Stücke
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FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
907+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 907 Stücke
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FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC655BN FDC655BN-D.PDF
FDC655BN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
461+0.38 EUR
512+0.33 EUR
521+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
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FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
377+0.46 EUR
435+0.38 EUR
461+0.35 EUR
512+0.31 EUR
521+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
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FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
322+0.55 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
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FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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FDC655BN FDC655BN-D.PDF
FDC655BN
Hersteller: onsemi
MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
auf Bestellung 15919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.51 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC655BN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 49197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 42039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.74 EUR
239+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FDC655BN 2284254.pdf
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 42039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.74 EUR
239+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN.pdf
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bnd.pdf
FDC655BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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