Weitere Produktangebote FDC655BN nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET |
auf Bestellung 18698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
auf Bestellung 16750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 55085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC655BN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 55390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC655BN | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 6,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDC655BN | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |