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FDC658AP

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC658AP FDC658AP Fairchild info-tfdc658ap.pdf P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
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FDC658AP FDC658AP onsemi FDC658AP-D.PDF MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
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FDC658AP FDC658AP ONSEMI 2299638.pdf Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 31772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
212+1.09 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDC658AP FDC658AP ONSEMI 2299638.pdf Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 31772 Stücke:
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114+2.2 EUR
212+1.09 EUR
240+0.89 EUR
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1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC658AP FDC658AP ONSEMI FDC658AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.1nC
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 37 Stücke:
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FDC658AP FDC658AP ON Semiconductor fdc658ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.37 EUR
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
285+0.63 EUR
1000+0.32 EUR
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FDC658AP
Hersteller: Fairchild
P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
225+0.8 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.4 EUR
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
155+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
155+1.15 EUR
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FDC658AP
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 6078 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+1.71 EUR
10+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
3000+0.4 EUR
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FDC658AP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 31772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
212+1.09 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDC658AP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 31772 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
212+1.09 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
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FDC658AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.1nC
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 37 Stücke:
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FDC658AP fdc658ap-d.pdf
FDC658AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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