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FDC658P

FDC658P ON Semiconductor

fdc658p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2919 Stücke:
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Technische Details FDC658P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Weitere Produktangebote FDC658P nach Preis ab 0.36 EUR bis 3.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC658P FDC658P onsemi FDC658P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC658P FDC658P ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.98 EUR
186+0.94 EUR
249+0.68 EUR
258+0.64 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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FDC658P FDC658P ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.25 EUR
181+0.94 EUR
186+0.88 EUR
249+0.63 EUR
258+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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FDC658P FDC658P ON Semiconductor fdc658p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.27 EUR
178+0.95 EUR
179+0.92 EUR
187+0.84 EUR
245+0.62 EUR
250+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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FDC658P FDC658P onsemi / Fairchild FDC658P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+1.11 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC658P FDC658P onsemi FDC658P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 13047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDC658P FDC658P ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 12815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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FDC658P FDC658P ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 12815 Stücke:
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100+3.09 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDC658P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC658P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
181+0.98 EUR
186+0.94 EUR
249+0.68 EUR
258+0.64 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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FDC658P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.25 EUR
181+0.94 EUR
186+0.88 EUR
249+0.63 EUR
258+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
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Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+1.27 EUR
178+0.95 EUR
179+0.92 EUR
187+0.84 EUR
245+0.62 EUR
250+0.58 EUR
500+0.49 EUR
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FDC658P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
auf Bestellung 6043 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.11 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC658P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 13047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC658P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 12815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+3.09 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC658P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 12815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.09 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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