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Technische Details FDC658P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDC658P nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC658P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC658P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC658P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC658P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH -30V |
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FDC658P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC658P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDC658P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDC658P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC658P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC658P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC658P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -4A Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC658P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
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FDC658P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -4A Kind of channel: enhanced |
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