
FDC855N onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details FDC855N onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDC855N nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDC855N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 19282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 4029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 4446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC855N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC855N | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC855N | Hersteller : ONSEMI |
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