
FDC86244 ON Semiconductor
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Technische Details FDC86244 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V.
Weitere Produktangebote FDC86244 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC86244 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC86244 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
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FDC86244 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDC86244 Produktcode: 142730
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FDC86244 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.3A On-state resistance: 273mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC86244 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.3A On-state resistance: 273mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD |
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