FDC86244 ON Semiconductor
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Technische Details FDC86244 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDC86244 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC86244 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDC86244 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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| FDC86244 |
FDC86244 Транзисторы MOS FET Power |
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FDC86244 Produktcode: 142730
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDC86244 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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| FDC86244 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.3A; Idm: 10A; 1.6W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC On-state resistance: 273mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 2.3A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Case: SuperSOT-6 |
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