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Technische Details FDC8878 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDC8878 nach Preis ab 0.6 EUR bis 1.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 2671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 50248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V |
auf Bestellung 100194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 16682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDC8878 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| FDC8878 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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