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FDC8878

FDC8878 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC8878 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDC8878 FDC8878 ONSEMI 2572503.pdf Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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FDC8878 FDC8878 onsemi FDC8878-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
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FDC8878 FDC8878 ONSEMI 2572503.pdf Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 564 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 564 Stücke:
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199+0.87 EUR
204+0.81 EUR
217+0.74 EUR
500+0.7 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1888 Stücke:
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179+0.95 EUR
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500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
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FDC8878
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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3+1.23 EUR
10+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.87 EUR
6000+0.84 EUR
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FDC8878
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1139 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 50248 Stücke:
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491+1.31 EUR
546+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2671 Stücke:
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491+1.31 EUR
546+1.17 EUR
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FDC8878
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC8878
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 1639 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
149+1.44 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC8878
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.42 EUR
10+1.63 EUR
100+1.27 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
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AnzahlPrivatkunde
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
50+1.64 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDC8878
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 1639 Stücke:
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