FDC8884 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 17+ | 1.06 EUR |
| 20+ | 0.91 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
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Technische Details FDC8884 onsemi
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote FDC8884
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDC8884 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 4245 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDC8884 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8884 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC8884 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC8884 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |