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FDD10AN06A0

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Produktcode: 149870
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDD10AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD10AN06A0
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
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FDD10AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
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