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FDD10AN06A0

FDD10AN06A0 onsemi

FDD10AN06A0-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FDD10AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V.

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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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42+1.73 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Hersteller : onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.5 EUR
10+2.53 EUR
100+1.82 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD10AN06A0_D-2312162.pdf MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 8270 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.57 EUR
10+2.68 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.52 EUR
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Hersteller : ON Semiconductor fdd10an06-f085jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD10AN06A0 Hersteller : ON-Semicoductor FDD10AN06A0-D.PDF N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA FDD10AN06A0-F085; FDD10AN06A0; FDD10AN06A0 TFDD10an06a0
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FDD10AN06A0
Produktcode: 149870
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