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FDD10AN06A0

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Produktcode: 149870
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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2500+1.44 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.51 EUR
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1628 Stücke:
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42+2.06 EUR
45+1.9 EUR
48+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.61 EUR
81+2.11 EUR
82+2 EUR
113+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122 Stücke:
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68+2.61 EUR
81+2.15 EUR
82+2.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
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1+5.3 EUR
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2817 Stücke:
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4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
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FDD10AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD10AN06A0
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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FDD10AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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42+2.06 EUR
45+1.9 EUR
48+1.81 EUR
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FDD10AN06A0 fdd10an06a0-d.pdf
FDD10AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.61 EUR
81+2.11 EUR
82+2 EUR
113+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDD10AN06A0 fdd10an06a0-d.pdf
FDD10AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.61 EUR
81+2.15 EUR
82+2.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 8084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.3 EUR
10+3.44 EUR
100+2.37 EUR
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2817 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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