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Technische Details FDD3510H onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FDD3510H | onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDD3510H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK) Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 13.9 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDD3510H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK) SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDD3510H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDD3510H |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
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| FDD3510H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| FDD3510H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| FDD3510H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
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