FDD3682 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.68 EUR |
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Technische Details FDD3682 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDD3682 nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDD3682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel PwrTrench |
auf Bestellung 17007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3682 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 95W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3682 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 95W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |