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FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ ON Semiconductor

fdd390n15alz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD390N15ALZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ON Semiconductor fdd390n15alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ON Semiconductor fdd390n15alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ON Semiconductor fdd390n15alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : onsemi fdd390n15alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : onsemi / Fairchild fdd390n15alz-d.pdf MOSFETs NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ONSEMI 2572508.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ONSEMI 2572508.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : onsemi fdd390n15alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
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Produktcode: 104572
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fdd390n15alz-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ON Semiconductor fdd390n15alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ Hersteller : ON Semiconductor 3656782249341089fdd390n15alz.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD390N15ALZ Hersteller : ONSEMI fdd390n15alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDD390N15ALZ Hersteller : ONSEMI fdd390n15alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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