FDD4141
Produktcode: 133759
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDD4141 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD4141 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Hersteller : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Hersteller : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 6030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 6822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |


