FDD4141
Produktcode: 133759
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDD4141 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD4141 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 161975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
auf Bestellung 6661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4141 | onsemi |
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 9482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4141 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.79 EUR |
| 5000+ | 0.74 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.92 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.93 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 161975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 697+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 10000+ | 0.75 EUR |
| 100000+ | 0.62 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 160+ | 1.11 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 1.94 EUR |
| 57+ | 1.5 EUR |
| 66+ | 1.31 EUR |
| 89+ | 0.96 EUR |
| 101+ | 0.84 EUR |
| 250+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.96 EUR |
| 18+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.5 EUR |
| 111+ | 1.55 EUR |
| 168+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
auf Bestellung 6661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.12 EUR |
| 11+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 9482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 72+ | 3.47 EUR |
| 114+ | 2.03 EUR |
| 172+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.47 EUR |
| 114+ | 2.03 EUR |
| 172+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





