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FDD4141

FDD4141 ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
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Technische Details FDD4141 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : onsemi fdd4141-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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733+0.73 EUR
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100000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 733
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : onsemi / Fairchild fdd4141-d.pdf MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 11180 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.38 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : onsemi fdd4141-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
auf Bestellung 18013 Stücke:
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Anzahl Preis
8+2.2 EUR
13+1.38 EUR
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500+0.72 EUR
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 8660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ONSEMI fdd4141-d.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD4141 Hersteller : UMW fdd4141-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4141 FDD4141 Hersteller : ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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