FDD5353 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 50+ | 1.44 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| 65+ | 1.10 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 1.00 EUR |
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Technische Details FDD5353 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDD5353 nach Preis ab 1.00 EUR bis 3.10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDD5353 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK Power dissipation: 69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 20.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD5353 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 3937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD5353 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD5353 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD5353 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD5353 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD5353 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5353 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5353 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V |
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