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FDD5353

FDD5353 onsemi

fdd5353-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
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Technische Details FDD5353 onsemi

Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDD5353 FDD5353 Hersteller : ONSEMI FDD5353.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.43 EUR
57+ 1.27 EUR
65+ 1.1 EUR
69+ 1.04 EUR
500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDD5353 FDD5353 Hersteller : ONSEMI FDD5353.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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65+ 1.1 EUR
69+ 1.04 EUR
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FDD5353 FDD5353 Hersteller : ON Semiconductor 3663389155915620fdd5353.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5353 FDD5353 Hersteller : onsemi fdd5353-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
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500+ 1.71 EUR
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FDD5353 FDD5353 Hersteller : ON Semiconductor 3663389155915620fdd5353.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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100+ 1.65 EUR
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500+ 1.26 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 61
FDD5353 FDD5353 Hersteller : ONSEMI fdd5353-d.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
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FDD5353 FDD5353 Hersteller : ON Semiconductor 3663389155915620fdd5353.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5353 FDD5353 Hersteller : ON Semiconductor 3663389155915620fdd5353.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5353 FDD5353 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD5353_D-1807002.pdf MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
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