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FDD5N50NZFTM

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Produktcode: 86764
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ON Semiconductor fdd5n50nzf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ONSEMI 2907363.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ONSEMI 2907363.pdf Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDD5N50NZFTM Aptina Imaging ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5N50NZFTM fdd5n50nzf-d.pdf
FDD5N50NZFTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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FDD5N50NZFTM 2907363.pdf
FDD5N50NZFTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDD5N50NZFTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: UniFET II FRFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDD5N50NZFTM ONSM-S-A0003590038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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