Weitere Produktangebote FDD5N50NZFTM nach Preis ab 0.75 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FDD5N50NZFTM | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD5N50NZFTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD5N50NZFTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD5N50NZFTM | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 57494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD5N50NZFTM | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 500V DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5N50NZFTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5N50NZFTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5N50NZFTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II |
Produkt ist nicht verfügbar |