FDD6612A.. ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
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Technische Details FDD6612A.. ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 30, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung Pd: 36, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 2, SVHC: Lead.

