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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDD6637 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A Power dissipation: 57W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDD6637 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637-F085 | ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FDD6637 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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32+ | 2.30 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
250+ | 1.09 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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134+ | 1.11 EUR |
135+ | 1.06 EUR |
149+ | 0.92 EUR |
250+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
1000+ | 0.71 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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134+ | 1.07 EUR |
135+ | 1.02 EUR |
149+ | 0.89 EUR |
250+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.68 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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500+ | 1.13 EUR |
1000+ | 1.08 EUR |
2500+ | 1.03 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.82 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDD6637 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDD6637-F085 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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