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Technische Details FDD6637 UMW
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote FDD6637 nach Preis ab 0.48 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDD6637 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Drain current: -55A Drain-source voltage: -35V Gate charge: 35nC On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 2707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDD6637 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 Produktcode: 86650
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-252 Uds,V: 35 Rds(on),Om: 0.018 Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45 /: SMD |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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