FDD6637 (Fairchild) - Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld

FDD6637

FDD6637

Produktcode: 86650
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 35
Rds(on),Om: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45

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Technische Details FDD6637

Preis FDD6637 ab 1.68 EUR bis 1.68 EUR

FDD6637
Hersteller: ON
P-Channel 35V 13A (Ta), 55A (Tc) 3.1W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252 Trans. FDD6637 DPAK TFDD6637
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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18+ 1.68 EUR
FDD6637
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
3653401639398837fdd6637.pdf
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FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD6637 SMD P channel transistors
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FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD6637 SMD P channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6637
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
FDD6637_D-2312192.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
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FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
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FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 20V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
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