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FDD6637

FDD6637 Fairchild

FDD6637-D.pdf
Produktcode: 86650
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-252
Drain-Source-Spannung Uds, V: 35 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2370/45
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+2.62 EUR
10+0.75 EUR
100+0.69 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD6637 FDD6637 onsemi FDD6637-D.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
142+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
250+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.74 EUR
126+1.33 EUR
127+1.27 EUR
142+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -35V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 19mΩ
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
40+2.14 EUR
46+1.89 EUR
60+1.43 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 onsemi FDD6637-D.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 onsemi FDD6637-D.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.73 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
78+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637-D.pdf
FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.23 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
142+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+1.61 EUR
250+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+1.74 EUR
126+1.33 EUR
127+1.27 EUR
142+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -35V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 19mΩ
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+2.81 EUR
40+2.14 EUR
46+1.89 EUR
60+1.43 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637-D.pdf
FDD6637
Hersteller: onsemi
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637-D.pdf
FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
10+2.73 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.05 EUR
78+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH