FDD6637 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 165+ | 0.87 EUR |
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| 250+ | 0.76 EUR |
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Technische Details FDD6637 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote FDD6637 nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6637 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 4604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD6637 | Hersteller : ONSEMI |
FDD6637 SMD P channel transistors |
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FDD6637 Produktcode: 86650
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-252 Uds,V: 35 Rds(on),Om: 0.018 Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45 /: SMD |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6637 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |