Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > FDD6637 Fairchild
FDD6637

FDD6637 Fairchild

FDD6637-D.pdf
Produktcode: 86650
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-252
Drain-Source-Spannung Uds, V: 35 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2370/45
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+2.62 EUR
10+0.75 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDD6637 nach Preis ab 1.13 EUR bis 5.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD6637 FDD6637 onsemi FDD6637-D.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.42 EUR
142+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.77 EUR
122+1.37 EUR
142+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.89 EUR
250+1.27 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
40+2.14 EUR
46+1.89 EUR
60+1.43 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 onsemi FDD6637-D.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 onsemi FDD6637-D.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.73 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
78+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637-D.pdf
FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.23 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.42 EUR
142+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+1.77 EUR
122+1.37 EUR
142+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.89 EUR
250+1.27 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637.pdf
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+2.81 EUR
40+2.14 EUR
46+1.89 EUR
60+1.43 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637-D.pdf
FDD6637
Hersteller: onsemi
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637-D.pdf
FDD6637
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
10+2.73 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.05 EUR
78+3 EUR
112+1.93 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH