FDD770N15A


fdd770n15a-d.pdf
Produktcode: 100267
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDD770N15A nach Preis ab 0.58 EUR bis 3.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.26 EUR
141+1.23 EUR
182+0.93 EUR
250+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
139+1.21 EUR
141+1.15 EUR
182+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI 2572509.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
109+2.14 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI 2572509.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
109+2.14 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.26 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A 3662442023354827fdd770n15a.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+1.26 EUR
141+1.23 EUR
182+0.93 EUR
250+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A 3662442023354827fdd770n15a.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.58 EUR
139+1.21 EUR
141+1.15 EUR
182+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A 2572509.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.45 EUR
109+2.14 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A 2572509.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.45 EUR
109+2.14 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.62 EUR
10+2.26 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH