FDD770N15A ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FDD770N15A ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD770N15A nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDD770N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 18A Power dissipation: 56.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD770N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD770N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD770N15A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD770N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2308 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD770N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD770N15A Produktcode: 100267 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD770N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD770N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD770N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V |
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