FDD7N25LZTM ON Semiconductor
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Technische Details FDD7N25LZTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDD7N25LZTM nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDD7N25LZTM | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET |
auf Bestellung 17852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD7N25LZTM | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm Anzahl je Verpackung: 15 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM Produktcode: 194274
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDD7N25LZTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| FDD7N25LZTM | Hersteller : ONSEMI |
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors |
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