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FDD86102LZ

FDD86102LZ onsemi

fdd86102lz-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details FDD86102LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
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109+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 109
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 156000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 360
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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360+1.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 360
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 72
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 54W
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
64+1.13 EUR
75+1.04 EUR
100+1 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : Fairchild info-tfdd86102lz.pdf N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : onsemi fdd86102lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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10+2.32 EUR
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1000+1.16 EUR
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : onsemi fdd86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 9746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.58 EUR
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1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ONSEMI fdd86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD86102LZ FDD86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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