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FDD86102LZ ON Semiconductor

Name: FDD86102LZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: 236997-5
Price: 2325.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details FDD86102LZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDD86102LZ nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.34 EUR

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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FDD86102LZ

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V

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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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378+	1.42 EUR
500+	1.23 EUR
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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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378+	1.42 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.09 EUR
10000+	0.94 EUR

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FDD86102LZ

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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2+	2.22 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.07 EUR
2500+	1.04 EUR

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FDD86102LZ

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V

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6+	3.34 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.11 EUR

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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FDD86102LZ

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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FDD86102LZ

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

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FDD86102LZ

Hersteller : ONSEMI

FDD86102LZ SMD N channel transistors

auf Bestellung 1305 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
29+	2.55 EUR
70+	1.03 EUR
74+	0.97 EUR
250+	0.96 EUR

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FDD86102LZ

Hersteller : Fairchild

N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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FDD86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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