FDD86102LZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.10 EUR |
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Technische Details FDD86102LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDD86102LZ nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 13962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD86102LZ | Hersteller : ONSEMI |
FDD86102LZ SMD N channel transistors |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDD86102LZ | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD86102LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |