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FDD86102LZ

FDD86102LZ ON Semiconductor

fdd86102lz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FDD86102LZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86102LZ FDD86102LZ onsemi FDD86102LZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.24 EUR
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 155650 Stücke:
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360+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
100000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.4 EUR
90+1.9 EUR
113+1.45 EUR
500+1.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.4 EUR
90+1.94 EUR
113+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
118+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.77 EUR
250+1.36 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.93 EUR
37+2.31 EUR
42+2.05 EUR
57+1.5 EUR
75+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.12 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ Fairchild info-tfdd86102lz.pdf N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ onsemi FDD86102LZ-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 19383 Stücke:
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1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
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FDD86102LZ FDD86102LZ onsemi FDD86102LZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 41283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.93 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
75+3.13 EUR
109+1.98 EUR
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
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FDD86102LZ FDD86102LZ ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.24 EUR
5000+1.18 EUR
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 155650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
100000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.4 EUR
90+1.9 EUR
113+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.4 EUR
90+1.94 EUR
113+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
118+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ fdd86102lz-d.pdf
FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.77 EUR
250+1.36 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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FDD86102LZ FDD86102LZ.pdf
FDD86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+2.93 EUR
37+2.31 EUR
42+2.05 EUR
57+1.5 EUR
75+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.12 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 19383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ-D.pdf
FDD86102LZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 41283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.55 EUR
10+2.93 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ-D.pdf
FDD86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.72 EUR
75+3.13 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD86102LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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