FDD86110 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.77 EUR |
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Technische Details FDD86110 onsemi
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDD86110 nach Preis ab 2.02 EUR bis 5.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDD86110 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 127W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |