FDD86110 ON Semiconductor
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Technische Details FDD86110 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDD86110 nach Preis ab 1.68 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86110 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 11218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86110 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDD86110 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86110 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| FDD86110 | Hersteller : ONSEMI |
FDD86110 SMD N channel transistors |
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