FDD86250 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.32 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDD86250 onsemi
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDD86250 nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 132W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 164A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 132W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 164A |
auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDD86250 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 28165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86250 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V |
auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |