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FDD86252

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Produktcode: 154884
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.91 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 35553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.23 EUR
10+1.08 EUR
100+0.97 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdd86252.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi fdd86252-d.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 23898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.41 EUR
10+1.78 EUR
100+1.27 EUR
500+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 46986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
10+2.18 EUR
100+1.47 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI fdd86252-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI fdd86252-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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