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FDD86252

FDD86252 ON Semiconductor

fdd86252-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD86252 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Anzahl Preis
142+1.02 EUR
143+0.98 EUR
172+0.78 EUR
250+0.75 EUR
500+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 142
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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59+1.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 55
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2364 Stücke:
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86252
Produktcode: 154884
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi / Fairchild fdd86252-d.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
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100+1.09 EUR
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86252 Hersteller : ON-Semicoductor fdd86252-d.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 10
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86252 FDD86252 Hersteller : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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