Weitere Produktangebote FDD86252 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86252 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86252 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET |
auf Bestellung 35553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86252 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 103mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Drain-source voltage: 150V Technology: PowerTrench® |
auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET |
auf Bestellung 27853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86252 | Hersteller : ON-Semiconductor |
N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V |
auf Bestellung 46986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86252 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 87945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 87945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDD86252 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |