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FDD86252

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Produktcode: 154884
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.08 EUR
165+1.06 EUR
167+1.02 EUR
250+0.99 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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FDD86252 FDD86252 onsemi FDD86252-D.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.15 EUR
163+1.05 EUR
165+1 EUR
167+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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FDD86252 FDD86252 onsemi / Fairchild FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 35553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.29 EUR
100+1.15 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.06 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+1.58 EUR
1250+1.49 EUR
1875+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ONSEMI FDD86252-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
60+1.43 EUR
67+1.27 EUR
81+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ONSEMI FDD86252-D.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
118+1.98 EUR
154+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
118+1.98 EUR
154+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86252 FDD86252 ON-Semiconductor info-tfdd86252.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD86252 FDD86252 onsemi FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 23898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.12 EUR
100+1.51 EUR
500+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 onsemi FDD86252-D.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 31741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.08 EUR
165+1.06 EUR
167+1.02 EUR
250+0.99 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.15 EUR
163+1.05 EUR
165+1 EUR
167+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 35553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.46 EUR
10+1.29 EUR
100+1.15 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.06 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
625+1.58 EUR
1250+1.49 EUR
1875+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+1.75 EUR
60+1.43 EUR
67+1.27 EUR
81+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+3 EUR
118+1.98 EUR
154+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 2304363.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
118+1.98 EUR
154+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 info-tfdd86252.pdf
FDD86252
Hersteller: ON-Semiconductor
N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 23898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.06 EUR
10+2.12 EUR
100+1.51 EUR
500+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 31741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH