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FDD86369-F085

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Produktcode: 176089
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : onsemi fdd86369_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+0.96 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2365 Stücke:
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386+1.4 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 386
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : onsemi / Fairchild fdd86369_f085-d.pdf MOSFETs 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
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1+2.83 EUR
10+1.83 EUR
100+1.39 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.91 EUR
5000+0.9 EUR
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : onsemi fdd86369_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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10+2.14 EUR
100+1.45 EUR
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : ONSEMI 2907367.pdf Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4866 Stücke:
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : ONSEMI 2907367.pdf Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDD86369-F085 FDD86369-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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