FDD86369-F085 ON Semiconductor
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Technische Details FDD86369-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDD86369-F085 nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.19 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FDD86369-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench |
auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 25007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86369-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86369-F085 Produktcode: 176089
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDD86369-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| FDD86369-F085 | Hersteller : ONSEMI |
FDD86369-F085 SMD N channel transistors |
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