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FDD86581-F085

FDD86581-F085 onsemi

fdd86581_f085-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDD86581-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86581-F085 FDD86581-F085 ON Semiconductor fdd86581_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDD86581-F085 FDD86581-F085 ON Semiconductor fdd86581_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD86581-F085 FDD86581-F085 onsemi / Fairchild FDD86581_F085_D-2312166.pdf MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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FET Type: N-Channel
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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