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FDD8870

FDD8870 UMW

e01e26c7728f9ef06cda3a30748f3afc.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
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Technische Details FDD8870 UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V.

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FDD8870 FDD8870 Hersteller : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8870 FDD8870 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD8870_D-1807310.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
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FDD8870 FDD8870 Hersteller : onsemi FDD8870.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
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