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FDD8896-VB

FDD8896-VB VBsemi

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Hersteller: VBsemi
FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
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Technische Details FDD8896-VB VBsemi

FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD8896-VB FDD8896-VB VBsemi TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
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FDD8896-VB
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FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
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