Produkte > ONSEMI > FDG6303N
FDG6303N

FDG6303N onsemi


fdg6303n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.20 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDG6303N onsemi

Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDG6303N nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDG6303N FDG6303N Hersteller : onsemi fdg6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 54810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.72 EUR
31+0.57 EUR
100+0.34 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N Hersteller : onsemi / Fairchild FDG6303N_D-2312202.pdf MOSFET SC70-6 N-CH 25V
auf Bestellung 64553 Stücke:
Lieferzeit 411-415 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.77 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N Hersteller : ON Semiconductor fdg6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N Hersteller : ONSEMI fdg6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N Hersteller : ONSEMI fdg6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N Hersteller : ON Semiconductor fdg6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N Hersteller : ON-Semicoductor fdg6303n-d.pdf Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N Hersteller : ONSEMI fdg6303n-d.pdf FDG6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.48 EUR
369+0.19 EUR
390+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH