FDG6303N onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details FDG6303N onsemi
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDG6303N nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FDG6303N | ON-Semiconductor |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303nAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6303N | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 54810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG6303N | onsemi / Fairchild |
MOSFET SC70-6 N-CH 25V |
auf Bestellung 64553 Stücke: Lieferzeit 411-415 Tag (e) |
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FDG6303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDG6303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDG6303N |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.56 EUR |
| FDG6303N |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 54810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 0.86 EUR |
| 31+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| FDG6303N |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
auf Bestellung 64553 Stücke:
Lieferzeit 411-415 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| FDG6303N |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDG6303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



