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FDG6304P

FDG6304P TECH PUBLIC

TFDG6304p_ON_0001.pdf
Hersteller: TECH PUBLIC
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
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Technische Details FDG6304P TECH PUBLIC

Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDG6304P nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDG6304P FDG6304P TECH PUBLIC TFDG6304p_ON_0001.pdf Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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FDG6304P FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDG6304P FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.98 EUR
304+0.76 EUR
372+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.98 EUR
304+0.76 EUR
372+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1500+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P onsemi fdg6304p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
23+0.92 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P ONSEMI FDG6304P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
119+0.71 EUR
179+0.48 EUR
250+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P onsemi / Fairchild FDG6304P_D-1807074.pdf MOSFETs SC70-6 P-CH -25V
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P TFDG6304p_ON_0001.pdf
FDG6304P
Hersteller: TECH PUBLIC
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.98 EUR
304+0.76 EUR
372+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.98 EUR
304+0.76 EUR
372+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.07 EUR
23+0.92 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P.pdf
FDG6304P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+1.15 EUR
119+0.71 EUR
179+0.48 EUR
250+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P_D-1807074.pdf
FDG6304P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SC70-6 P-CH -25V
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.59 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH