FDG6306P ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details FDG6306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDG6306P FDG6306P ONSEMI ONSM-S-A0013184668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
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FDG6306P 671609.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
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Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
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Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
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Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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