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Technische Details FDG6317NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SC-70, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 300mW, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDG6317NZ nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.74 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||
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FDG6317NZ | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
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FDG6317NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R |
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FDG6317NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
auf Bestellung 3536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG6317NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual 20V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG6317NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SC-70 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm Dauer-Drainstrom Id: 700mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 300mW SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 53305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6317NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDG6317NZ | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDG6317NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDG6317NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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