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FDG6317NZ

FDG6317NZ ON Semiconductor

fdg6317nz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details FDG6317NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SC-70, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 300mW, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote FDG6317NZ nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDG6317NZ FDG6317NZ onsemi fdg6317nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDG6317NZ FDG6317NZ ON-Semiconductor TFDG6317NZ_ON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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FDG6317NZ FDG6317NZ ON Semiconductor fdg6317nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.74 EUR
355+0.48 EUR
359+0.45 EUR
362+0.43 EUR
550+0.27 EUR
553+0.26 EUR
754+0.18 EUR
1257+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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FDG6317NZ FDG6317NZ onsemi fdg6317nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
35+0.62 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDG6317NZ FDG6317NZ onsemi / Fairchild FDG6317NZ_D-1807376.pdf MOSFETs Dual 20V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDG6317NZ FDG6317NZ ONSEMI 1483965.pdf Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 53305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
276+0.84 EUR
496+0.43 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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FDG6317NZ fdg6317nz-d.pdf
FDG6317NZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6317NZ TFDG6317NZ_ON_0001.pdf
FDG6317NZ
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6317NZ fdg6317nz-d.pdf
FDG6317NZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+0.74 EUR
355+0.48 EUR
359+0.45 EUR
362+0.43 EUR
550+0.27 EUR
553+0.26 EUR
754+0.18 EUR
1257+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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FDG6317NZ fdg6317nz-d.pdf
FDG6317NZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
35+0.62 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6317NZ FDG6317NZ_D-1807376.pdf
FDG6317NZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual 20V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6317NZ 1483965.pdf
FDG6317NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 53305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.25 EUR
276+0.84 EUR
496+0.43 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH